近日，華為因P10閃存門事件被推上了輿論的風(fēng)口浪尖。而這次“閃存門”背后所暴露出來的問題，其實是整個存儲器市場現(xiàn)在所面臨的窘境——閃存從去年下半年就開始緊張，并且這種緊張缺貨的狀態(tài)可能還會延續(xù)一年。
華為“閃存門”背后：存儲器自主研發(fā)能力亟待加強(qiáng)
近日華為因P10閃存門事件被推上了輿論的風(fēng)口浪尖，部分媒體指出華為最新旗艦P10/P10 Plus部分使用高速UFS閃存、部分使用低速eMMC閃存，而這兩種閃存在讀取速度上有較大的差異。為何對質(zhì)量把控一向嚴(yán)格的華為會出現(xiàn)這種問題，是故意為之還是另有隱情?
閃存門事件發(fā)生后，華為第一時間給出了解釋，表示“近期個別社交網(wǎng)絡(luò)上關(guān)于P10 / P10 Plus閃存選用問題，我們同樣與業(yè)界多家優(yōu)秀的閃存解決方案供應(yīng)商緊密合作，共同保障產(chǎn)品品質(zhì)及用戶體驗，同時也是為了保障供應(yīng)的穩(wěn)定。”逐字逐句進(jìn)行分析，華為這番話的意思大概是，P10確實存在更換閃存一事，但是這也是為了保障穩(wěn)定供應(yīng)，不得已而為之。
從華為的回應(yīng)來看，這次在“閃存門”中所暴露出來的問題，其實是整個存儲器市場現(xiàn)在所面臨的窘境。華為消費者業(yè)務(wù)CEO余承東第二次回應(yīng)說：“關(guān)于P10系列手機(jī)閃存同時采用UFS和EMMC兩種方案的問題，核心原因是供應(yīng)鏈閃存的嚴(yán)重缺貨，至今華為手機(jī)的Flash存儲仍然在缺貨之中。”
由于SSD硬盤和手機(jī)搶貨，閃存從去年下半年就開始緊張，并且這種緊張缺貨的狀態(tài)可能還會延續(xù)一年。但是閃存市場資源幾乎被少數(shù)廠家掌控，目前核心技術(shù)依然掌握在三星、SK海力士、美光、閃迪以及東芝這些廠商手中。 NAND閃存市場幾乎被上述五大廠瓜分。其中，韓系兩大廠商都分別占據(jù)第一和第五的位置，三星擁有33.6%的市場份額，SK海力士為10.1%，而國內(nèi)還是個空白。
雖然三星、SK海力士、東芝等廠商都在生產(chǎn)，但由于客戶多，尤其是UFS這樣的高檔閃存更是缺貨。這也是東芝要出售內(nèi)存業(yè)務(wù)時，蘋果使出混身解數(shù)聯(lián)合富士康也要往里面摻一腳的最大原因。
業(yè)內(nèi)人士預(yù)計，進(jìn)入2018年以后，存儲器短缺的問題將不再那么嚴(yán)重，代工能力也將持續(xù)改善。這將迅速導(dǎo)向“企業(yè)級硬盤”產(chǎn)品，以及巨大容量的儲存SSD (可能使用四位元單元的QLC)。另一方面，隨著存儲器產(chǎn)業(yè)快速過渡至SSD，以及移動至小型儲存裝置與超融合的基礎(chǔ)架構(gòu)，預(yù)計RAID/混合陣列架構(gòu)衰退的速度將會更快。
唯有自主才能做到可控。面對不可控的閃存市場，最好的辦法就是打造屬于我們自己的閃存。近期，我國在NAND閃存領(lǐng)域取得一定進(jìn)展，據(jù)央視報道我國首個存儲器基地項目近日在武漢東湖高新區(qū)正式開工，該基地總投資240億美元，計劃于2020年全面建成，建成后年產(chǎn)值將超過100億美元。
據(jù)悉，國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區(qū)武漢未來科技城，將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米的投資強(qiáng)度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個項目，總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。
可以說，此次華為P10閃存門事件，不僅給了華為一個教訓(xùn)，對其他中國手機(jī)廠商而言也是一次警醒。不可否認(rèn)，更換閃存是華為自身因素影響，但更深層次的原因是核心零部件受制于人，結(jié)果就是被人任意拿捏而無法反抗。因此，只有我們高端制造業(yè)崛起，才能徹底避免類似事件的發(fā)生。
轉(zhuǎn)型的最終目的 -提質(zhì)降本增效
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