在長(zhǎng)江存儲(chǔ)，晉華項(xiàng)目和合肥長(zhǎng)鑫這三大存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)基地開建之際，有很多人曾經(jīng)質(zhì)疑過(guò)中國(guó)為什么要投入那么多錢去做這個(gè)建設(shè)?，F(xiàn)在我通過(guò)一個(gè)事實(shí)告訴你原因。現(xiàn)在在存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)，基本是韓國(guó)廠商的天下，而隨著設(shè)動(dòng)設(shè)備的火熱，各種設(shè)備的爆發(fā)，市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)的需求日增，于是帶來(lái)了存儲(chǔ)產(chǎn)品的缺貨問(wèn)題，進(jìn)而導(dǎo)致了漲價(jià)。
拜DRAM 價(jià)格因供給短缺而以高角度上揚(yáng)之賜，部分分析師預(yù)測(cè)南韓兩大存儲(chǔ)廠三星與SK 海力士，今年半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)利潤(rùn)可能年增5 成，來(lái)到史無(wú)前例的25 兆韓圓。
存儲(chǔ)市況從2016 年6 月觸底反彈后，從最低每單位1.31 美元一路走升，年底攀底至1.94 美元，且在供給有限而需求增加的狀況下，存儲(chǔ)今年有望延續(xù)漲勢(shì)。
隨著PC 大餅持續(xù)萎縮，分析師去年一度唱衰電腦用存儲(chǔ)市況，但人算不如天算，下半年筆電用存儲(chǔ)需求旺盛，讓NAND 快閃存儲(chǔ)呈現(xiàn)缺貨狀態(tài)。至于PC 用DRAM 報(bào)價(jià)，今年第一季預(yù)估將再上漲三成。
另外，即使三星Galaxy Note 7 2016 年因自燃事件被迫停產(chǎn)，但行動(dòng)DRAM 需求仍舊不減反增，這主要?dú)w功于中國(guó)智能手機(jī)業(yè)者積極填補(bǔ)Note 7 遺留下的需求缺口。
而當(dāng)中應(yīng)以中國(guó)作為最大的消耗國(guó)。
根據(jù)賽迪顧問(wèn)提供的數(shù)據(jù)，2014年中國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到2465.5億元，占國(guó)內(nèi)芯片市場(chǎng)比重的23.7%，其比重超過(guò)CPU、手機(jī)基帶芯片。
而中國(guó)所使用的存儲(chǔ)占全球的比例也在逐步上升，。2014年中國(guó)大陸DRAM消耗量已達(dá)102億美元，約占全球市場(chǎng)的20%;NAND Flash消耗量也接近全球市場(chǎng)的25%。但與此形成鮮明對(duì)比的是國(guó)內(nèi)在這個(gè)領(lǐng)域幾近空白，市場(chǎng)份額基本都是被日韓美幾大巨頭所壟斷。上文提到的三星和SK海力士就是韓國(guó)廠商的代表，每年他們都能從中國(guó)獲取高額的利潤(rùn)，最主要的是在自主可控方面，中國(guó)沒(méi)有任何話事權(quán)。于是發(fā)展國(guó)產(chǎn)的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)就水到渠成了。
更重要的是，根據(jù)IC Insights ：，未來(lái)5 年內(nèi)，存儲(chǔ)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)最強(qiáng)勁的產(chǎn)品。
IC Insights 的最新報(bào)告指出，DRAM 與NAND 快閃存儲(chǔ)等產(chǎn)品，在未來(lái)5 年內(nèi)的年平均均復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR) 將達(dá)到7.3% 的水準(zhǔn)，產(chǎn)值也將從2016 年的773 億美元，擴(kuò)增至1，099 億美元。就半導(dǎo)體的產(chǎn)品別來(lái)觀察，將會(huì)是所有產(chǎn)品成長(zhǎng)最大的項(xiàng)目。
報(bào)告中進(jìn)一步指出，受惠于智能手機(jī)等行動(dòng)裝備對(duì)低功耗，存儲(chǔ)需求的快速增加，這是帶動(dòng)DRAM 與NAND 快閃存儲(chǔ)成長(zhǎng)的主要原因。除此之外，使用NAND 快閃存儲(chǔ)的固態(tài)硬碟(SSD)在資料中心的儲(chǔ)存設(shè)備中，或是筆記行電腦的應(yīng)用也日趨吃重，也是拉抬其相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。
IC Insights 進(jìn)一步表示，如果將將半導(dǎo)體區(qū)分成邏輯IC、存儲(chǔ)、模擬IC 與微組件(microcomponents)IC 等四大部分的話，在未來(lái)5 年的預(yù)測(cè)區(qū)間內(nèi)，將是以存儲(chǔ)的成長(zhǎng)力道最為強(qiáng)勁，模擬IC 的成長(zhǎng)比率5.2% 居次，微組件則為4.4% 排名第3，而邏輯IC 則僅成長(zhǎng)2.9% 墊底。
而IC Insights 還指出，南韓科技大廠三星上周五公布2016 年第4 季財(cái)報(bào)預(yù)測(cè)時(shí)，原本預(yù)計(jì)在旗艦型智能手機(jī)Galaxy Note7 發(fā)生電池爆炸，以致召回而最后停產(chǎn)的情況下，三星原本預(yù)計(jì)第4 季在吸收Galaxy Note7 召回成本，以及停產(chǎn)的損失后，最終將大虧超過(guò)20 億美元。不料，最終的結(jié)果是營(yíng)業(yè)利益竟然還能逆勢(shì)，跳增近80% 的比率，其中一大原因就是受惠于DRAM 與快閃存儲(chǔ)的價(jià)格大漲，將利潤(rùn)空間拉大，補(bǔ)足了三星在其他部門的損失。
目前國(guó)內(nèi)也建立起了存儲(chǔ)三大陣型：一個(gè)是紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，主攻3D NAND Flash;一個(gè)是福建晉華集成與聯(lián)電合作的項(xiàng)目，主攻DRAM;;一個(gè)是兆易創(chuàng)新和中芯國(guó)際前CEO王寧國(guó)所主導(dǎo)的合肥DRAM項(xiàng)目。而各自也將取得不錯(cuò)的進(jìn)展。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)那邊聲稱，其新的存儲(chǔ)基地建設(shè)將分為三期，總規(guī)劃面積約100 萬(wàn)平方米，一期于8 月開工、預(yù)計(jì)2018年建設(shè)完成，月產(chǎn)能約20 萬(wàn)片。該廠計(jì)劃從3D NAND Flash 下手，并預(yù)計(jì)2017 有能力推出32 層堆疊、2018年推出48 層堆疊3D NAND Flash。
至于福建晉華項(xiàng)目，據(jù)了解初期將導(dǎo)入32 nm，但最終目標(biāo)其實(shí)放在25 nm以下制程，以求與其他DRAM 大廠不致有太大落差，初步產(chǎn)能規(guī)劃每月6 萬(wàn)片，估計(jì)2017 年底完成技術(shù)開發(fā)，2018 年9月試產(chǎn)，并在2019 年以前將產(chǎn)線移轉(zhuǎn)至福建新廠。
至于兆易創(chuàng)新在合肥那邊的項(xiàng)目，早前兆易創(chuàng)新收購(gòu)了美國(guó)DRAM 廠ISSI ，獲得了相關(guān)的技術(shù)，但沒(méi)有說(shuō)具體計(jì)劃。
但我們也要意識(shí)到，雖然我們已經(jīng)踏出了重要的一步，但是我們依然要意識(shí)到，在技術(shù)方面和人才方面，我們是落后于日韓美的幾大巨頭的，如何完善產(chǎn)業(yè)環(huán)境，獲得關(guān)鍵技術(shù)和人才就成為中國(guó)存儲(chǔ)從業(yè)者所需要考慮的首要問(wèn)題，也是中國(guó)存儲(chǔ)能否獲得成功的關(guān)鍵。
關(guān)鍵字：模擬IC海力士
轉(zhuǎn)型的最終目的 -提質(zhì)降本增效
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