存儲器要做出來并不難，美、日、韓、臺灣地區(qū)都可以，中國大陸也不可能例外。阻礙主要來自于如何覆蓋成本，工藝制程和良率的差距導(dǎo)致成本競爭力不如對手，另外設(shè)備折舊更是占據(jù)生產(chǎn)成本的40%-50%。
可以想見，如果中國大陸存儲產(chǎn)業(yè)崛起速度過快，三星、SK海力士、美光，東芝等國際大廠必然會以價格戰(zhàn)來壓制。
本文將從產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)律、技術(shù)趨勢、產(chǎn)業(yè)政策等多方面分析我國臺灣地區(qū)發(fā)展存儲器的經(jīng)過和最終退出的原因。
事實上，臺灣地區(qū)在取得全球晶圓代工第一、封裝第一及IC設(shè)計第二的成績之后定下更加宏大的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)目標：1、總產(chǎn)值要超過韓國，成為繼美國、日本之后的全球第三位;2、在未來三至五年中，存儲器產(chǎn)業(yè)要超過韓國，成為全球第一。
為什么以存儲器為突破口?
這是一個值得思考的好問題?；仡?0年代日本追趕美國，以及90年代韓國追趕日本，都是以存儲器作為突破口。原因是存儲器市場巨大、設(shè)計技術(shù)相對簡單且易于擴大市場份額。
韓國就是在6英寸晶圓廠過渡到8英寸晶圓廠的世代交替時，以9座8英寸晶圓廠的產(chǎn)能優(yōu)勢，一舉取代日本廠商躍居全球DRAM產(chǎn)業(yè)第一的的寶座。
臺灣地區(qū)試圖以同樣的方法，希望在8英寸過渡到12英寸晶圓廠的世代交替時，以擁有全球最多的12英寸晶圓廠來取勝。結(jié)果臺灣并未成功，三星及SK海力士仍雄居全球存儲器市場第一和第二的位置。
重投資策略未能奏效
半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)有個“潛規(guī)則”，只要舍得投資就有可能成功。例如臺灣地區(qū)半導(dǎo)體業(yè)在90年初代工模式剛興起時，年投資金額與年銷售額之比達60%以上。
根據(jù)此經(jīng)驗，臺灣地區(qū)從2004年開始加速存儲器方面的投資。從2004至2008年，臺灣地區(qū)在存儲器方面的總投資達300億美元以上，擁有近20條12英寸晶圓生產(chǎn)線，位列全球第一，大大超出同期三星的投資。
但是最終并未因12英寸晶圓生產(chǎn)線多而取得勝利，隨后臺灣地區(qū)放棄存儲器追趕策略，轉(zhuǎn)向固守陣地。
臺灣DRAM與三星在投資方面的比較
原因初探
臺灣地區(qū)在存儲器方面重投資而未能奏效，原因是多方面的，也可以認為臺灣地區(qū)在半導(dǎo)體策略上的一次重大失誤。據(jù)筆者觀察有以下三個主要原因：
首先，臺灣地區(qū)在發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)中主要采用代工模式，而代工模式在DRAM中以失敗告終。
眾所周知，在DRAM產(chǎn)業(yè)中有兩個趨勢已成為共識，一個是工藝制程轉(zhuǎn)變快，緊跟摩爾定律。另一個是月產(chǎn)能達15萬片的超級大廠盛行，投資高達50-80億美元。主要原因是出于運營成本的考慮，運行3個5萬片晶圓廠的成本肯定高過一個15萬片晶圓廠。
按此理分析，代工廠的產(chǎn)能小，無法與IDM廠競爭。當產(chǎn)能足夠大時，一來代工廠擔心未來訂單不足而猶豫擴充產(chǎn)能，同時那些IDM廠又擔心代工廠會與自己爭奪客戶。
另外，從根本上那些IDM廠也不可能把最先進制程的產(chǎn)品交給代工廠。因此，代工模式在DRAM業(yè)中受到質(zhì)疑，中芯國際于2007年退出存儲器代工可能也是基于此理。
其次，臺灣地區(qū)存儲器產(chǎn)業(yè)中缺乏自有技術(shù)，過多的依賴于技術(shù)轉(zhuǎn)移。例如，此前力晶與爾必達，茂德與SK海力士及華亞科與奇夢達(現(xiàn)在的美光)。臺灣地區(qū)廠商基本都沒自主技術(shù)，等于缺乏脊梁。
這也是臺灣地區(qū)存儲器追趕韓國失敗的主要原因。
最后，是全球存儲器的市場未能達到預(yù)期。當時，幾乎2/3的新建或擴充產(chǎn)能集中在存儲器產(chǎn)業(yè)中，但需求端并沒有快速成長，造成供過于求的局面，最終導(dǎo)致DRAM和NAND閃存價格的持續(xù)下跌完全超出市場預(yù)期。
臺灣地區(qū)存儲器產(chǎn)業(yè)經(jīng)過近5年努力，花費300億美元以上的投資，結(jié)果未能超過韓國。一方面表明韓國在存儲器方面的實力之強大;另一方面也證明光靠花錢并不能解決問題。
任何策略都不可能簡單地復(fù)制，任何成功都是由多個因素共同促成的。臺灣地區(qū)在半導(dǎo)體業(yè)總體上是成功的，但是此次存儲器之夢未能實現(xiàn)。
轉(zhuǎn)型的最終目的 -提質(zhì)降本增效
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