隨著落戶于武漢東湖高新技術(shù)開發(fā)區(qū)的國家存儲器基地項目啟動建設(shè)，中國發(fā)展半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)業(yè)終于邁出實質(zhì)性步伐。對于半導(dǎo)體存儲器的重要性，已經(jīng)毋 庸多言。無論是發(fā)展消費電子，還是數(shù)據(jù)中心，存儲器都是必不可少的關(guān)鍵組件。在中國每年進口的大量集成電路芯片中1/4為存儲器。這樣巨大的需求量，如果 完全依靠海外供應(yīng)，對于產(chǎn)業(yè)發(fā)展和信息安全保障，都是明顯的軟肋。
圍繞中國要不要發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)，業(yè)界有觀點認(rèn)為，中國發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)錯過最好的時機，哪怕再早6~7年(2009年)，那時全球的存儲產(chǎn)業(yè)仍可 勉強算得上是“多頭”格局，中國發(fā)展存儲器，仍有更多合作的選擇。此后發(fā)生了奇夢達破產(chǎn)、爾必達被收購等變動。可是現(xiàn)在，存儲器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)高度壟斷，專利技 術(shù)成為中國企業(yè)繞不開的難題。
但是，我們更要強調(diào)的是，“亡羊補牢，猶未為晚”。雖然我們喪失了一個相對有利的入局機會，但是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具有一個重要特點，即技術(shù)革新永遠不會停滯。創(chuàng)新技術(shù)的出現(xiàn)，市場需求的轉(zhuǎn)變，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)的變化，企業(yè)發(fā)展速度的換檔，都會給后進入者彎道超車的機會。
3D閃存技術(shù)正是當(dāng)前中國存儲業(yè)面臨的一個重大發(fā)展機遇。NAND閃存有平面閃存和3D閃存之分。平面閃存是存儲單元在晶圓表面二維平面排列，3D 閃存通過增加存儲疊層，實現(xiàn)三維的存儲陣列結(jié)構(gòu)。平面閃存進入1x納米節(jié)點之后，器件耐久性和數(shù)據(jù)保持特性持續(xù)退化，企業(yè)已經(jīng)很難解決集成度提高和成本控 制間的矛盾，采用3D閃存技術(shù)已經(jīng)不可避免。
目前三星是唯一能量產(chǎn)3D NAND的廠商，東芝(日本)和海力士(韓國)也都已發(fā)布2016年48層3D NAND的量產(chǎn)計劃。然而，不同于基于微縮技術(shù)的平面閃存，3D閃存的關(guān)鍵技術(shù)是薄膜和刻蝕工藝，技術(shù)工藝差別較大，而且除了三星，其他企業(yè)在3D閃存布 局方面走得并不遠。中國企業(yè)有機會通過技術(shù)合作、專利授權(quán)許可，快速切入該領(lǐng)域。同時還能避免國際企業(yè)在傳統(tǒng)技術(shù)研發(fā)中的設(shè)備折舊優(yōu)勢。
根據(jù)DRAM exchange估計，2016年年底3D NAND將占全球NAND的20%，而去年僅為6%。3D閃存技術(shù)等、存儲產(chǎn)業(yè)仍然擁有大量可以深入挖掘的空間。這也正是中國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的希望所在。
轉(zhuǎn)型的最終目的 -提質(zhì)降本增效
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