對(duì)于AMD的Fury系列GPU而言,其真正讓人感興趣的地方要屬高帶寬內(nèi)存(HBM)的使用了。和大多數(shù)顯卡所使用的GDDR5解決方案相比,HBM帶來了性能和能效方面的顯著提升。而現(xiàn)在,鎂光可能有新的技術(shù)能和HBM一較高下。
據(jù)知情人士爆料,鎂光目前正在研發(fā)GDDR6內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),每4GB模組可提供高至10-14Gbps的帶寬。對(duì)比之下,GDDR5在相同芯片大小下的速度僅為7Gbps。而相比8GB GDDR5模組,新的內(nèi)存也可提供明顯提升,帶寬可高至8Gbps。
可即便如此,GDDR6依然無法成為HBM的理想替代,因?yàn)楹笳叩膸捠荊DDR5的兩倍還多。且由于距離GPU的位置更近(而不是位于PCB之上),HBM的能效和延遲應(yīng)該也更高。
但話說回來,這些目前都并不重要,因?yàn)榕鋫銱BM標(biāo)準(zhǔn)包的主流GPU雖然已在今年年中發(fā)布,但它們的供貨目前依然存在短缺,而進(jìn)一步加強(qiáng)性能和能效的HBM 2.0要等到明年才會(huì)問世。如果Nvidia真如傳聞所說考慮為下一代Maxwell顯卡采用HBM或HBM 2.0,那這可能會(huì)進(jìn)一步加劇供貨問題。
對(duì)此,鎂光隨后也向媒體澄清了一些細(xì)節(jié)。他們表示,公司計(jì)劃在2016年推出的內(nèi)存技術(shù)名叫GDDR5X,而非GDDR6,兩者并不相同,而他們尚未公布和后者有關(guān)的任何計(jì)劃。
此外,正在研發(fā)者的GDDR5X也并不是HBM的直接競(jìng)爭(zhēng)者。鎂光稱,GDDR5X的目的是在不大幅改變當(dāng)前架構(gòu)的前提下帶來可觀的性能提升。
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