2015 年 4 月，借助納米立方技術(shù)與亞鐵酸鋇磁帶媒介，IBM 和富士通聯(lián)手為公眾展示了如何在 220 TB 的磁帶中實(shí)現(xiàn)每平方英寸 1,230 億比特的磁帶密度。
IBM 的磁帶密度記錄發(fā)展歷程
此次，IBM 的磁帶驅(qū)動(dòng)器研發(fā)人員借助索尼的存儲(chǔ)媒介解決方案及濺射媒介技術(shù)再次刷新了磁帶密度記錄。工程開發(fā)測(cè)試顯示，IBM 的磁帶產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)每平方英寸 201 GB 的存儲(chǔ)密度。
具體所用的技術(shù)包括：
△新的數(shù)據(jù)通道信號(hào)處理算法，該算法以噪音預(yù)測(cè)型偵測(cè)原理為基礎(chǔ)，借助超窄型 48 納米隧道磁電阻 (TMR) 讀取器，可實(shí)現(xiàn)每英寸 81.8 萬比特線性密度的可靠運(yùn)算。
△一系列組合式高級(jí)伺服控制技術(shù)，這些技術(shù)可實(shí)現(xiàn)精度超過 7 納米的磁頭定位。
△采用 48 納米寬的 TMR 硬盤驅(qū)動(dòng)器讀磁頭，可實(shí)現(xiàn)每英寸 246,200 個(gè)磁軌的磁軌密度，相比 TS1155 磁帶驅(qū)動(dòng)器，磁軌密度提升了 13 倍。
△新的低摩擦磁帶頭技術(shù)，該技術(shù)使得超平滑磁帶媒介的使用成為可能。
一般來說，濺射工藝的原理是使用高能粒子(例如非反應(yīng)性氬氣離子)對(duì)目標(biāo)材料進(jìn)行轟擊，進(jìn)而將原子從靶源剝離，然后積淀在基底上。該工藝在一個(gè)真空室內(nèi)完成，從靶源噴射的原子需要吸附到基底等載體上，確保重新達(dá)到熱力學(xué)平衡。
IBM 科學(xué)家、馬克·蘭特斯(MarkLantz)博士，他手上拿著的是一平方英寸規(guī)格的原型磁帶。
就 IBM 的最新磁帶產(chǎn)品具體來說，所用的濺射工藝是采用濺射積淀的方法在磁帶基底上形成 IBM 所謂的納米顆粒磁性層。
IBM 院士 Evangelos Eleftheriou 曾在錄制某檔節(jié)目時(shí)介紹說，“盡管相比目前使用亞鐵酸鋇 (BaFe) 制造的商業(yè)磁帶產(chǎn)品，濺射磁帶的成本略高，但它在容量方面的潛力非常大，單位 TB 的存儲(chǔ)成本會(huì)因此而降低，因此非常適于在云端的冷存儲(chǔ)中使用。”
藍(lán)色巨人IBM這一技術(shù)的出現(xiàn)預(yù)示著磁帶技術(shù)路線圖在未來 10 年里必定會(huì)穩(wěn)步發(fā)展。同時(shí)，我們也有信心在未來的 8 到 9 年里，將 LTO Ultrium 的容量路線圖突破至 LTO-12 及 190+ TB。我們將繼續(xù)擔(dān)負(fù)起探路者的角色，磁帶技術(shù)的明天必定更加精彩!
轉(zhuǎn)型的最終目的 -提質(zhì)降本增效
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