三星公司已經(jīng)開始量產(chǎn)其48層(即單NAND內(nèi)48層單元，屬于第三代升級(jí)技術(shù))3D V-NAND芯片，預(yù)計(jì)其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級(jí)SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設(shè)備當(dāng)中，將包含大量48層3D V-NAND存儲(chǔ)芯片且通過引線鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲(chǔ)單元，意味著每個(gè)NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-NAND晶片則為10.67 GB容量(85.33 Gb)。因此，第二代與第三代3D V-NAND設(shè)備之間到底存在哪些差別?是否單純只是將單元層數(shù)由32提升到48?
對(duì)此，我們對(duì)兩款設(shè)備進(jìn)行深入剖析，著眼于單元架構(gòu)、材質(zhì)、布局以及封裝等角度。下面來看分析結(jié)論：
存儲(chǔ)密度與晶片平面圖
圖一所示為16 48層3D V-NAND晶片，MCP(即多芯片封裝)內(nèi)包含雙F-Chips。48層的裸片效率顯然更高。32層3D V-NAND晶片面積為84.3平方毫米，而48層3D V-NAND晶片則為99.8平方毫米，意味著其長度較上代方案提升17.3%(如圖二所示)。每單元晶片存儲(chǔ)密度則提升至2.57 Gb每平方毫米。而目前最頂級(jí)的高密度2D平面NAND設(shè)備為東芝的15納米TLC NAND，具體水平為1.28 Gb每平方毫米。二者之間的最大差異在于：1)平面(NAND存儲(chǔ)陣列)區(qū)，2)位線開關(guān)與頁緩沖區(qū)，3)邏輯與外圍區(qū)以及4)加入F-Chips。每塊 晶片分為兩層。NAND存儲(chǔ)陣列區(qū)由原本的48.9平方毫米增加至68.7平方毫米，提升為40.3%。而位線開關(guān)電路則與32層方案保持一致，不過頁面 緩沖區(qū)則縮小了20%。邏輯與外圍電路面積減少34.8%。換言之，三星方面大幅削減了頁緩沖與周邊區(qū)面積，從而使其在存儲(chǔ)密度與晶片效率方面得到提升。 另外，16層堆疊設(shè)計(jì)中的晶片厚度也由132微米降低至36微米。
圖一，三星48層3D V-NAND設(shè)備，采用16層垂直堆疊NAND晶片與雙F-Chips，拆機(jī)圖片。
圖二，32層與48層3D V-NAND對(duì)比。
F-Chip閃亮登場
三星公司在去年的ISSCC2015大會(huì)上首公宣布將F-Chip嵌入至其NAND閃存封裝當(dāng)中?？傮w來講，SSD硬件架構(gòu)是由存儲(chǔ)控制器、NAND閃存與DRAM所共同構(gòu)成。
F-Chip負(fù)責(zé)在存儲(chǔ)控制器之間的I/O總線上實(shí)現(xiàn)點(diǎn)對(duì)點(diǎn)拓?fù)洌硗釬-Chip還會(huì)對(duì)通道內(nèi)的不必要反射進(jìn)行緩沖。另外，F(xiàn)-Chip在其與 NAND設(shè)備之間建立了兩套內(nèi)部I/O總線，從而降低F-Chip到NAND接口的容量負(fù)載。另外，其支持再定時(shí)模式，旨在從存儲(chǔ)控制器中將I/O信號(hào)傳 輸至NAND設(shè)備。
再有，F(xiàn)-Chip亦改善了NAND設(shè)備與異步接口中出現(xiàn)的時(shí)序容限所引發(fā)的定時(shí)不穩(wěn)狀況。單一F-Chip接入八塊V-NAND晶片，意味著雙 F-Chips可嵌入至16晶片封裝內(nèi)。圖三所示為從MCP中分離出來的F-Chip，其中包含ROM、DC發(fā)電、CMD譯碼器、數(shù)據(jù)路徑、TX/RX以 及引線接合盤等電路元件。F-Chip晶片面積為0.057平方毫米。
圖三，從三星48層3D V-NAND MCP中拆分出來的F-Chip晶片。
存儲(chǔ)單元陣列結(jié)構(gòu)與架構(gòu)
相較于第二代32層3D V-NAND，第三代48層3D V-NAND單元結(jié)構(gòu)擁有更高單元門數(shù)量，這意味著進(jìn)程整合所帶來的要求與控制性將更具挑戰(zhàn)。硅通孔與CSL(即公共源線)溝槽蝕刻工藝的長寬比約為33 比26，高于32層3D V-NAND設(shè)備。另外其采用基于鋁質(zhì)材料的高k介質(zhì)電阻擋層以及CTF(電荷捕獲閃存存儲(chǔ))或者CTL(電荷捕獲層)。
選擇晶體管則包括SSL(串選擇線)與GSL(接地選擇線)，擬柵極與位線帶設(shè)計(jì)與上代方案保持一致，不過SEG(硅外延延伸)高度則得以削減。 32層3D V-NAND設(shè)備擁有三金屬層，而48層3D V-NAND則擁有四金屬層。額外的這一金屬層(通常被稱為M0)被添加至CSL/MC層上，這可能是為了進(jìn)一步提升單元設(shè)計(jì)效率。
成本考量：1y納米2D與48層3D V-NAND
對(duì)于16納米或15納米的1y級(jí)別MLC/TLC NAND設(shè)備，其制程整合在存儲(chǔ)單元陣列與周邊區(qū)域之上，包括阱/活動(dòng)/隔離(SA-STI，自對(duì)準(zhǔn)STI)形式;單元FG/CG與外圍門形式;以及接觸 與互連(金屬與通孔)形式。當(dāng)然，DPT(雙圖案化技術(shù))或者QPT(四圖案化技術(shù))等圖案化方案以及氣隙制程實(shí)現(xiàn)活動(dòng)、字線與位線模式的作法也存在于 2D平面NAND產(chǎn)品的制造流程當(dāng)中。對(duì)于1y納米級(jí)別的2D平面NAND設(shè)備，NAND制造商往往會(huì)使用40到45個(gè)掩模層，意味著其需要40到45次 光刻步驟才能將設(shè)備集成在硅晶圓之上。
另一方面，32層3D V-NAND設(shè)備則采用垂直硅通孔技術(shù)(簡稱CHT)與20納米位線半間距(配合DPT)，意味著其需要50層掩模以反復(fù)調(diào)整具體圖案，從而保證存儲(chǔ)陣列 周邊位置的通孔能夠使各層確切連接。盡管48層3D V-NAND的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)/材質(zhì)與單元設(shè)計(jì)同32層3D V-NAND一樣，但更高的門堆疊數(shù)量與蝕刻步驟會(huì)給吞吐量、良品率及產(chǎn)量控制帶來難題。隨著各大主流NAND廠商積極投入于48層、64層、96層甚至 是128層3D NAND產(chǎn)品制造并持續(xù)提升產(chǎn)量，相信NAND存儲(chǔ)方案的使用成本將通過3D NAND架構(gòu)的規(guī)模擴(kuò)展而不斷降低。
未來NAND閃存存儲(chǔ)技術(shù)
相信未來幾年中，2D設(shè)備將與3D NAND并行存在。然而，2D NAND的制程工藝已經(jīng)基本達(dá)到了極限，且三星、東芝、SanDisk、美光、英特爾以及SK-海力士等主流廠商都開始探索利用通孔機(jī)制將多層NAND構(gòu) 成3D形式。一旦可堆疊的單元門數(shù)量進(jìn)一步提升，則有望帶來更高存儲(chǔ)密度、更強(qiáng)性能、更理想的可靠性以及更低功率水平。截至目前，三星32層與48層3D V-NAND產(chǎn)品與美光/英特爾32層3D NAND產(chǎn)品已經(jīng)正式投放商業(yè)市場。
東芝、SanDisk與SK-海力士的3D NAND設(shè)備尚未全面發(fā)布，意味著其在邁入3D NAND主流廠商的道路上顯得有些遲鈍。三星公司的頂級(jí)32層與48層3D V-NAND設(shè)備基于電荷捕捉閃存(簡稱CTF)存儲(chǔ)架構(gòu)(或者電荷捕捉層，簡稱CTL)，配備有高k介質(zhì)阻擋層與金屬門。CTL屬于非導(dǎo)電層，采用氮化 物等材質(zhì)充當(dāng)絕緣體，并配合其它存儲(chǔ)單元功能以降低單元之間的干擾，從而控制錯(cuò)誤數(shù)量并提升可靠性。由于 3D V-NAND單元對(duì)單元間干擾并不敏感，因此能夠顯著提升數(shù)據(jù)寫入速度，從而帶來更理想的性能。其制程步驟數(shù)量已經(jīng)大大降低，且功耗水平也因此得到有效控 制。48層3D NAND在使用成本曲線上較32層方案更接近2D閃存。而未來幾年內(nèi)可能陸續(xù)推出的64層、96層甚至是128層3D NAND則可能受到多晶硅溝槽遷移率、光蝕刻加工能力以及良品率/產(chǎn)量控制等因素的影響而導(dǎo)致產(chǎn)能不高。
那么現(xiàn)在讓我們回歸最初的疑問：三星48層3D V-NAND是否只是對(duì)32層方案的單純垂直擴(kuò)展?答案是否定的。除了垂直擴(kuò)展，新一代技術(shù)還提升了單元性能效率，嵌入F-Chip并將邏輯與周邊區(qū)面積 降低30%以上，同時(shí)添加新的金屬層以提升晶片效率。很明顯，3D V-NAND已經(jīng)開始全面迎來成熟期。
轉(zhuǎn)型的最終目的 -提質(zhì)降本增效
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