三星電子NAND Flash技術(shù)再升級(jí)，9日宣布研發(fā)出容量達(dá)1Tb(terabit)的3D NAND芯片，預(yù)計(jì)明年問(wèn)世。三星宣稱，該技術(shù)是過(guò)去10年來(lái)存儲(chǔ)器的最大進(jìn)展之一。三星表示，許多產(chǎn)業(yè)發(fā)展人工智能和物聯(lián)網(wǎng)，數(shù)據(jù)密集的應(yīng)用程序大增，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器扮演關(guān)鍵角色，可以加快資料抽取速度，以供即時(shí)分析。
據(jù)了解，三星研發(fā)1Tb的V-NAND芯片(即垂直堆疊的3D NAND)，容量是當(dāng)前最大存儲(chǔ)器512Gb(gigabit)的兩倍。三星將結(jié)合16個(gè)1Tb的die，構(gòu)成一組3D NAND組，每組存儲(chǔ)器容量可達(dá)2TB(terabyte)。1Tb相當(dāng)于126GB，以一部2小時(shí)的HD電影通常1.5-2GB來(lái)計(jì)算，能夠儲(chǔ)存60部?jī)尚r(shí)的高畫(huà)質(zhì)電影。
不只如此，三星也秀出NGSFF固態(tài)硬盤(Next Generation Small Form Factor SSD)，將取代當(dāng)前的M.2 SSD規(guī)格。三星表示NGSFF容量為前代的四倍，將于今年第四季量產(chǎn)。
三星去年發(fā)布Z-SSD技術(shù)，現(xiàn)在首度發(fā)表采用此一技術(shù)的SZ985固態(tài)硬盤，宣稱可用于數(shù)據(jù)中心和企業(yè)系統(tǒng)，處理大數(shù)據(jù)分析等數(shù)據(jù)密集作業(yè)。Z-SSD讀取延遲時(shí)間為15微秒，大約是NVME固態(tài)硬盤的1/7。
轉(zhuǎn)型的最終目的 -提質(zhì)降本增效
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