紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)在IC China 2019前夕于武漢宣布，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking®架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。作為中國(guó)首款64層3D NAND閃存，該產(chǎn)品將亮相IC China 2019紫光集團(tuán)展臺(tái)。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存晶圓
長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking®架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品中最高的存儲(chǔ)密度。Xtacking®可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲(chǔ)單元，這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking®技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過(guò)數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu)，Xtacking®可帶來(lái)更快的I/O傳輸速度、更高的存儲(chǔ)密度和更短的產(chǎn)品上市周期。
轉(zhuǎn)型的最終目的 -提質(zhì)降本增效
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