來自主流存儲供應商的CTO們以及其他技術領導者的預測：因為一波更加緊密的驅動器產(chǎn)品將進入市場，并且價格繼續(xù)下降，勢必將推動企業(yè)加速采用閃存存儲。他們希望通過新一輪降低延遲的非易失性存儲器(NVMe)固態(tài)驅動器(SSD)和NVMe over Fabrics(NVMe-oF)，實現(xiàn)更快的閃存。
為了充分利用最新的NVMe和NVMe-oF技術，傳統(tǒng)存儲陣列供應商將需要新的架構體系。2017年開始，初創(chuàng)公司需要通過超高速和低延遲固態(tài)存儲來滿足具有苛刻工作負載的用戶。
此外，在企業(yè)級閃存存儲市場上，無法獲得足夠性能的企業(yè)需要使用新的存儲器媒體，例如來自英特爾和美光的3D XPoint和來自三星的Z-NAND。
下面是來自存儲行業(yè)技術領導者的關于企業(yè)閃存存儲以及固態(tài)存儲在2017年及以后的情況的預測。
企業(yè)加速采用閃存存儲
戴爾EMC全球技術戰(zhàn)略副總裁Daniel Cobb：我們將繼續(xù)看到閃存的加速采用，甚至超出預期。更多的3D NAND晶圓廠正在上線，正在實現(xiàn)巨大的工藝產(chǎn)量目標。我們將看到閃存的采用繼續(xù)加速。 Hitachi Data Systems的CTO Hu Yoshida：Flash將成為主要的存儲介質，這使我們能夠減少在存儲調整和管理方面的精力。你不必擔心這是一級還是二級或哪些應用程序應該在閃存上運行，因為所有都是閃存。轉折的時機已經(jīng)來臨。價格或性能不再是問題。閃存的未來發(fā)展前景更好。通過使用3D和TLC等新技術，閃存的容量將大幅增加。業(yè)界分析，到2020年，我們將獲得128 TB閃存模塊，這意味著價格大幅下降。
更多存儲供應商和自己制造存儲設備的公司，如Google和Facebook，將開始構建自己的閃存模塊，因為他們預見到這樣做將帶來的好處。因為閃存是可編程的，所以他們可以將更多的智能融入閃存模塊，使其更加高效。還可以添加諸如壓縮的功能，而在控制器上游沒有任何性能影響。編程閃存驅動器時，我們可以做的另一件事是分解閃存驅動器。當我們使用擦除命令，我們只是重新格式化所有的單元格——即使是控制器看不到的單元格。這對于隱私要求很重要。
IBM存儲的副總裁兼CTO Vincent Hsu：短期內，3D TLC將迎來積極采用。我們已經(jīng)看到(Quad-Level Cell)QLC，即4bit/cell的技術的可行性，現(xiàn)在雖然是早期階段，但我認為在2017年年底將真正實現(xiàn)該技術。由于密度的提高，閃存有能力支撐更多的工作負載。不再只是在線事務處理(OLTP)?，F(xiàn)在對全閃存文件和對象存儲的需求增加，我想在2017年我們將看到更多的這類需求。
NVMe和NVMe在路上
戴爾EMC的Cobb：NVMe和NVMe over Fabrics不再是空談，我們將在2017年開始發(fā)貨。NVMe over Fabrics將代表一種新的方式用于主機與存儲通信。行業(yè)不會全面采用這些新技術，但會開始逐步部署。我們將開始看到新技術的使用情況，其最低可能的延遲或最高可能的吞吐量將吸引到更多客戶。其可以用于跨外部存儲，服務器內部或DAS(直接附加存儲)，以及超融合基礎設施。
Pure Storage產(chǎn)品副總裁Matt Kixmoeller：主要的閃存技術將從SATA和SAS驅動器轉變?yōu)镹VMe驅動器，并開辟新一代的性能和效率。我們現(xiàn)在開始看到雙端口NVMe驅動器的可用性，以及可行的企業(yè)全閃存陣列。這將是一個相當大的全閃存陣列架構轉變。這不是你可以輕松改造的，它需要硬件設計和軟件架構的演變，以充分利用NVMe。第一波將是NVMe設備，并在全閃存陣列中使用NVMe。
下一波是NVMe over Fabric過渡。這是非常令人興奮的，因為它開始改變DAS和SAN存儲之間的關系。許多新型應用程序，包括Hadoop、Spark、Cassandra以及所有的NoSQL數(shù)據(jù)庫，其中許多是圍繞服務器DAS存儲模型架構的。它們通常部署在具有本地附加閃存或磁盤的白盒服務器上。NVMe打破了障礙，使得網(wǎng)絡存儲具有與本地DAS相同的性能配置文件。
思科存儲網(wǎng)絡和解決方案的研發(fā)工程師J Metz：NVMe和NVMe over Fabrics(NVMe-oF)設備將開始出現(xiàn)，但并沒有真正震撼到存儲架構。初始部署時將復制現(xiàn)有的功能和特性，以獲得性能優(yōu)勢，但它們不會真正改變整個存儲游戲。真正富有想象力的解決方案不會在2018年之前大規(guī)模地觸及客戶的舒適區(qū)，但是早期采用者將在2017年從初創(chuàng)公司那里找到一些有趣的專有解決方案。
(Metz指出，他的預測是個人的，不代表公司。)
博科數(shù)據(jù)中心基礎設施部門CTO Martin Skagen：全閃存陣列將突破1000萬IOPS大關，NVMe是這一進步的貢獻者。NVMe是真的的Flash 2.0。幾年前當我們開始使用閃存時發(fā)現(xiàn)，不同類型之間的性能沒有很大的不同，你必須做很多事情才能讓它工作良好。然后，它變得更加商品化，真正推動了全閃存陣列市場。
但NVMe是一次革命，如果你有正確的架構，你可以然現(xiàn)有的閃存實現(xiàn)性能跳躍。不只是用NVMe閃存替換現(xiàn)有的SATA閃存。有很多事情會影響你如何處理閃存，尤其是在控制器上。也許一兩個傳統(tǒng)供應商可以通過一些工努力實現(xiàn)，但從軟件和硬件的角度來看，這是一件昂貴的事情。較小的新廠商有更好的機會，因為他們從零開始。他們沒有任何現(xiàn)有的架構，他們必須遵守已有規(guī)則，而且安裝規(guī)模相當小。NVMe可以使客戶降低閃存成本。如果你買了很多閃存，那么從你購買陣列的供應商那里購買閃存可能是有利的。NVMe實現(xiàn)了即插即用設施，因為它是一個更標準化的芯片組。
IBM公司的Hsu：將重點關注新協(xié)議以利用閃存的性能優(yōu)勢。市場上將出現(xiàn)多種協(xié)議和接口。一種技術不能滿足所有的工作負載。NVMe將在2017年更加普及，并且未來，我們將看到業(yè)界開始投資成熟的NVMe over Fabrics。OpenCAPI通過更好的優(yōu)化來減少延遲。 IBM Power Systems幾年前開發(fā)了CAPI(相干加速器處理器接口)，并將其作為開放標準。它確保PCIe總線和處理器是一致的。它在存儲層中削減數(shù)萬條指令，并提供低得多的延遲。OpenCAPI在PCIe接口上具有10倍的性能。
企業(yè)閃存存儲的新內存技術
Cobb：新的內存介質將開始蔓延。我們現(xiàn)在要了解一下來自Micron和Intel的3D XPoint。它不像DRAM那么快，但比NAND快。它運行在幾百納秒的存取時間。這將是NVMe值得炫耀的一個優(yōu)點，因為它具備低開銷和高性能優(yōu)勢。它也將成為廉價的存儲設備。
我們還將看到其他產(chǎn)品，如3D XPoint的競爭對手三星Z-NAND，其填補了DRAM和閃存之間的差距。三星表示，他們不是在發(fā)明一種新型媒體，而是可以讓NAND變得更快。三星一直在努力降低NAND的成本并提升容量，但沒有專注于使其更快。三星的方法在技術上是值得一看的，因為任何時候的一個主流內存廠商開始押注，說明他們投入了很多。
Hewlett Packard Enterprise數(shù)據(jù)中心基礎設施組的CTO Milan Shetti：永久性內存將開始出現(xiàn)在計算和存儲產(chǎn)品中。我們將看到DRAM和電池支持的永久存儲器的引入將替代以前的磁盤。人們將首先開始采用電池支持的DIMM(雙列直插內存模塊)，隨著不同的永久內存技術的出現(xiàn)，人們將開始采用它們。類似于消費產(chǎn)業(yè)對閃存帶來的經(jīng)濟衰退，物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)正在做持久性內存。因為設備中越來越多的傳感器需要本地內存，我們將看到持久性內存開始變得更加經(jīng)濟實惠。這將是一個多年的旅程。
思科的Metz：持久性內存/存儲級內存的進步將改變應用程序和操作系統(tǒng)與存儲交互的本質。分層解決方案將崩潰。今天的一級將是零級，今天的二級將歸檔。延遲和計算瓶頸的變化將改變數(shù)據(jù)訪問的方式和處理時間。一些系統(tǒng)如一些緩存機制，將被完全刪除，因為增加了延遲和基礎設施的不斷膨脹。
NetApp首席技術官Mark Bregman：長期來看，我們看到了下一代存儲級存儲器的引入。第一波將使用存儲設備中的新的高性能，永久性存儲器。但是有越來越少的理由去打包使其看起來像存儲。我想我們將看到新的系統(tǒng)架構，它可能看起來像一個非常大的持久性內存，而不是較小的內存連接到存儲系統(tǒng)。因此，我們將開始看到具有大量持久性內存的新系統(tǒng)技術的演變。然后，對于附加存儲的需求將不同，更多的是指存檔，而不是我們今天討論的高性能二級或一級。但是，所有這些不都將在2017年發(fā)生。首先我們可能會看到新公司在未來12個月內采用新的架構。
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