東芝公司已經(jīng)正式公布，其首求借64層3DNAND設(shè)備將采用TLC(即三層單元)設(shè)計以將原本的256Gb容量倍增至512Gb。
這意味著單晶片的存儲容量為64GB。樣品發(fā)貨從本月開始，而正式批量生產(chǎn)則將于今年下半年進(jìn)行。預(yù)計其將同時面向企業(yè)與消費(fèi)級市場推出SSD產(chǎn)品。東芝公司表示該512Gb晶片的每單位芯片尺寸存儲容量較上一代48層256Gb(32GB)設(shè)備增長了65%，且每芯片晶圓擁有更高存儲容量，意味著每bit成本有所下降。
作為東芝的閃存合作伙伴，西部數(shù)據(jù)公司亦公布了其512Gb晶片方案。
東芝公司正期待著NAND發(fā)展路線圖中的另一個大事件，即1TB產(chǎn)品，其將在單一封裝內(nèi)塞進(jìn)16塊堆疊架構(gòu)晶片。這代表著每晶片的容量為64GB，很明顯其也將采用之前提到的512Gb芯片產(chǎn)品。1TB芯片的樣品發(fā)布將于今年4月開始。
分析師JimHandy整理出一份表格，比較了東芝/西部數(shù)據(jù)、三星以及美光這幾家廠商各自的64層3DNAND設(shè)備。
"不過這并不重要，因?yàn)槟壳叭覐S商還沒有對這些產(chǎn)品進(jìn)行批量生產(chǎn)。尚不清楚量產(chǎn)工作會于何時開始。"他同時指出："這三家的設(shè)備全部采用64層與三層單元設(shè)計，但美光的Gb/mm?水平高于其它兩家，這要?dú)w功于美光在芯片制造當(dāng)中將CMOS邏輯電路排布在存儲器陣列下方，而競爭對手則將邏輯電路排布在陣列側(cè)方。
現(xiàn)在已經(jīng)明確的是，東芝公司表示其將于2017年下半年量產(chǎn)512Gb64層產(chǎn)品，且同時包含企業(yè)級與消費(fèi)級SSD。
東芝當(dāng)前的產(chǎn)品線中已經(jīng)包含7.68TBZD6300NVMePCIe閃存驅(qū)動器，其采用2D平面eMLCNAND配合128Gbit組件。如果可能，那么直接將128Gb晶片替換為512Gb晶片即可帶來總體容量高達(dá)30.7TB的SSD產(chǎn)品。很明顯，這樣的容量水平將極具市場吸引力。
考慮到此前一直困擾著東芝公司的財務(wù)危機(jī)，這樣積極的技術(shù)新聞無疑令人精神一振。
轉(zhuǎn)型的最終目的 -提質(zhì)降本增效
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