閃存發(fā)展趨勢：3DNAND技術(shù)是未來
雖然目前，許多原廠還沒有完全掌握3DNAND技術(shù)，但是隨著市場對于大容量存儲設(shè)備需求的不斷走高，2DNAND生產(chǎn)線的成本不斷提升，以及3DNAND技術(shù)帶來的利潤翻倍，都將推動各大原廠積極探索和研究更高堆疊層數(shù)的3DNAND技術(shù)。
根據(jù)筆者了解，包括三星、東芝等以上六大原廠廠商，都已早在2016年年初開始研發(fā)3DNAND技術(shù)，而在即將到來的2017年更是會推出基于新一代3DNAND技術(shù)制造的閃存產(chǎn)品，以滿足當(dāng)下智能手機、固態(tài)硬盤等設(shè)備對于大容量顆粒的需求。
（圖片來自網(wǎng)絡(luò)）
上表，是各大閃存原廠的技術(shù)更新表，通過表格我們可以輕松看到，各大原廠已經(jīng)在2016年研發(fā)了基于48層或32層的3DNADN閃存顆粒，由于技術(shù)不成熟以及2DNAND生產(chǎn)線替換問題，如今3DNAND的良品率并不高，總產(chǎn)量也不夠高，因而才引發(fā)了當(dāng)下固態(tài)硬盤市場價格的瘋漲。
3DNAND量產(chǎn)太低
可以預(yù)計，隨著2017年各大閃存廠商開始專心研發(fā)3DNAND閃存，以及2DNAND生產(chǎn)線替換的完成，閃存顆粒市場的3DNAND將成為絕對的主流，同時由于量產(chǎn)的提高和良品率的提升，閃存顆粒的出廠價勢必也會應(yīng)聲下調(diào)，那個時候也就是各類存儲設(shè)備價格回歸正常的時候。
3DNAND技術(shù)將成為發(fā)展趨勢
最后，筆者想說的是，閃存顆粒技術(shù)在這幾年，除了制程上有著小規(guī)模的提升外，3DNAND技術(shù)的出現(xiàn)絕對是閃存制造工藝史上的革命，同時也是閃存顆粒發(fā)展的未來趨勢，更低的成本、更高的容量，帶來的是更高的利潤率，這也是各大原廠爭相研發(fā)3DNAND技術(shù)的根本原因吧。
轉(zhuǎn)型的最終目的 -提質(zhì)降本增效
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