在7月6日的一個內(nèi)部投資者關(guān)系簡報會上，東芝存儲及電子設(shè)備解決方案公司總裁兼首席執(zhí)行官Yasuo Naruk主持，透露了關(guān)于東芝SSD和磁盤驅(qū)動器的戰(zhàn)略。即東芝正在考慮提高閃存和磁盤容量來提高存儲收入，幫助陷入困境的公司實現(xiàn)增長。
他的幻燈片談到了"閃存第一，磁盤其次"。我們把順序反過來，因為磁盤部分更簡單一些，而3D NAND部分更詳細(xì)，而且對我們來說也更有趣。
氦氣技術(shù)降臨
據(jù)稱，東芝一直是唯一不使用充氦氣驅(qū)動器技術(shù)來提高盤片數(shù)量和驅(qū)動器容量的磁盤驅(qū)動器制造商。WDC收購HGST讓希捷最近效仿它推出了一款10TB驅(qū)動器。性能型磁盤驅(qū)動器被SSD取代，唯一還在增長的HDD市場是近線和大容量驅(qū)動器。
東芝最高容量的驅(qū)動器是8TB。這意味著它的市場重點是放在近線驅(qū)動器，而非高容量驅(qū)動器上。東芝將在2017年推出10TB驅(qū)動器，2018年計劃推出14TB和16TB的驅(qū)動器。東芝的一個圖表顯示，2019年會推出超過16TB的驅(qū)動器。
東芝認(rèn)為磁記錄技術(shù)的改善將在2021年前進一步提高容量，SATA讀取密集型SSD的位成本在2023年之前都不會與近線磁盤驅(qū)動器成本相交合。
在2018年引入氦氣驅(qū)動器之后，東芝預(yù)測TDMR(二維磁記錄)將會在2019年出現(xiàn)，MAMAR或者HAMR(微輔助或者熱輔助磁記錄)將會在2020年出現(xiàn)。
在這之后，廉價的讀取密集型企業(yè)SSD將開始取代近線磁盤驅(qū)動器。
NAND技術(shù)的發(fā)展
NAND技術(shù)正推動SSD容量朝著更多層化、推高3D NAND晶圓工廠產(chǎn)能的方向發(fā)展。
東芝預(yù)計自己將出貨NVMe/PCIE SSD以及企業(yè)級數(shù)據(jù)中心SAS和SATA SSD，外加客戶端NVME/PCIe及SATA SSD。數(shù)據(jù)中心的SSD需求將會增長，從2015年到2019年期間的年復(fù)合增長率為14%，閃存價格的不斷下滑將會讓整個SSD市場不斷擴張。這其中 的關(guān)鍵一點，是每個SSD晶圓的字位增加了，這取決于從2D或者盤片NAND向3D NAND裸片的轉(zhuǎn)移，從每個晶圓中獲得更好的產(chǎn)量。
東芝現(xiàn)在已經(jīng)在量產(chǎn)的48層BiCS 2(Bit Cost Scalable gen 2)技術(shù)提供了256Gbit(32GB和TLC)芯片，但是三星引領(lǐng)者3D NAND市場，東芝必須追趕上晶圓合作伙伴WDC/SanDisk。東芝將會加速BiCS開發(fā)和生產(chǎn)，以滿足不斷擴大的需求，并保持價格競爭力。
BiCS 3很可能是64層和TLC的，或者Stiefel Niklaus MD Aaron Rakers猜測模片會縮小。今年9月將會制作出樣品，未來BiCS(我們猜測是第4代)可能會超過100層。東芝在2018財年應(yīng)該會主要生產(chǎn)3D NAND。在2016財年到2018財年之間，東芝將會花費8600億日元來實現(xiàn)這個目標(biāo)。
位于四日市的工廠將會利用大數(shù)據(jù)收集和大數(shù)據(jù)分析來改善他們的效率。制造和測試設(shè)備每天預(yù)計會產(chǎn)生16億條數(shù)據(jù)可用于分析，同時采用機器學(xué)習(xí)技術(shù)來改善分析。例如，可以自動分析產(chǎn)品圖片和測試結(jié)果來加速和改善決策。
2017年第一季度將會出現(xiàn)下一代SAS SSD，其連續(xù)讀寫帶寬要高于競品，而且功耗更低。而下一代PCIe SSD也將會在這個時候推出，容量要高于競品，且功耗更低，連續(xù)讀寫性能更好。
NAND單元技術(shù)將利用偽MLC(MLC -2bits/cell)閃存，據(jù)稱這種閃存運行得和SLC(1bit/cell)一樣快。據(jù)我們了解，這將提供企業(yè)級MLC耐用性以及保留特點，但是其密度只有MLC的一半，因為單元被用于過量配置了。
此外東芝還將支持24Gbit/s SAS和多鏈路PCIe Gen 4。還在考慮主機控制SSD來實現(xiàn)更好的性能管理和可靠性。
SSD的特性將通過使用Through Silicon Via (TSV)技術(shù)--東芝的TSV技術(shù)--實現(xiàn)改善，這個已經(jīng)用于16模片堆棧NAND設(shè)備上的技術(shù)在去年閃存峰會上贏得了一個獎項。它具有"超過 1Gbps的I/O數(shù)據(jù)速率，要高于其他任何NAND閃存，同時功耗降低近50%，且功率很低"。
Toshiba TSV方案
此前NAND模片是使用引線鍵合進行堆棧和封裝的。TSV技術(shù)利用垂直點擊和通孔穿過模片進行連接。東芝表示，這種技術(shù)實現(xiàn)了更高的數(shù)據(jù)IO速率，并降低了功耗。
東芝表示，將會利用所謂的超級堆棧技術(shù)突破100個3D NAND模片層。我們猜測它會通過實現(xiàn)Nano-Imprint lithography來縮小模片尺寸并降低成本。在生產(chǎn)階段的沉積和蝕刻將會提高效率。
預(yù)計在轉(zhuǎn)變到ReRAM(Resistive RAM)技術(shù)之前，我們還會看到有2代BiCS閃存的問世。
有一個主題是此次會議中沒有提及的，那就是QLC(4bits/cell)NAND，我們在想這是否意味著這項技術(shù)還沒有為公眾透露做好準(zhǔn)備?因此，從這一點我們猜測到結(jié)論：
首先，我們應(yīng)該不能錯誤的認(rèn)為東芝會退出磁盤驅(qū)動器業(yè)務(wù)。
其次，我們可以假設(shè)WDC也持有類似的NAND愿景。
第三，英特爾/美光、三星和SK海力士都有他們各自的打算。
因此，閃存驅(qū)動器領(lǐng)域以及XPoint未來幾年將會成為一個存儲技術(shù)開發(fā)的絕佳展示之地，而NAND對磁盤驅(qū)動器市場的沖擊也將是持續(xù)不斷的。
轉(zhuǎn)型的最終目的 -提質(zhì)降本增效
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