北京時(shí)間3月8日上午消息,半導(dǎo)體價(jià)格數(shù)據(jù)提供商DRAMeXchange發(fā)布的最新報(bào)告顯示,2015年第四季度全球NAND閃存行業(yè)營(yíng)收為83.07億美元,同比減少5%,環(huán)比減少2.3%。
三星第四季度NAND閃存營(yíng)收達(dá)到27.9億美元,環(huán)比增長(zhǎng)4.2%,全球市場(chǎng)份額為33.6%,高于第三季度的31.5%。
位居全球第二的東芝當(dāng)季營(yíng)收為15.5億美元,環(huán)比下滑11%,同比減少19%。
排名第三的閃迪環(huán)比增長(zhǎng)0.1%,達(dá)到13.1億美元。
排名第四的美光科技當(dāng)季NAND閃存營(yíng)收環(huán)比下滑2%,同比下滑3%,至11.54億美元,其第四季度市場(chǎng)份額為13.9%。
位列第五的SK海力士NAND閃存營(yíng)收環(huán)比下滑9%,同比下滑16%,至8.41億美元,市場(chǎng)份額為10.1%。
英特爾排名第六,市場(chǎng)份額為8%。
整個(gè)2015年,全球NAND閃存行業(yè)營(yíng)收為331億美元,2014年為322億美元,2013年為291億美元。從收入角度來看,該行業(yè)增長(zhǎng)并不快。盡管容量增速相對(duì)較快,但由于供應(yīng)也在不斷增加,導(dǎo)致同期的價(jià)格不斷下滑。
DRAMeXchange研究總監(jiān)肖恩·楊(Sean Yang)表示:“除了面臨價(jià)格的快速下滑外,廠商還在制造工藝上遭遇瓶頸。開發(fā)和生產(chǎn)3D-NAND閃存芯片的廠商都在成品率上遇到問題,只有三星例外。”
SK海力士正在韓國(guó)北部的清州工廠建設(shè)新的3D-NAND閃存工廠,耗費(fèi)約125億美元。該工廠將于2018年動(dòng)工,2019年完工。
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