正當(dāng)中國(guó)集中國(guó)家意志,以戰(zhàn)略高度推進(jìn)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè),英特爾也在積極調(diào)整產(chǎn)品方向和生產(chǎn)線所在地,抱緊中國(guó)大腿。英特爾剛剛宣布將投入55億美元在中國(guó)大連CPU晶圓廠,將它升級(jí)改造為3D閃存生產(chǎn)工廠。
今年的IDF大會(huì)上,英特爾中重點(diǎn)推介了3D XPoint技術(shù),這種基于電阻非易失性內(nèi)存存儲(chǔ)方案(可應(yīng)用于DRAM內(nèi)存、NAND閃存),其理論速度可以比如今的固態(tài)硬盤(pán)快千倍。
英特爾閃存
不過(guò)從實(shí)際應(yīng)用來(lái)看,英特爾更傾向于生產(chǎn)3D NAND閃存,其讀寫(xiě)速度也沒(méi)有理論中那么快,不會(huì)和三星、東芝、美光的3D閃存快多少。英特爾表示,中國(guó)大連工廠預(yù)計(jì)將從2016年下半年開(kāi)始生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。值得一提的是,三星更早在西安生產(chǎn)3D閃存。
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