跟蹤存儲(chǔ)技術(shù)如同坐過(guò)山車(chē)，有些技術(shù)是如此的炫酷，仿佛天空才是它們的極限，但也許正當(dāng)你驚訝不已時(shí)，你會(huì)發(fā)現(xiàn)坐著白色的車(chē)廂一下子回到了現(xiàn)實(shí)中。如此繁復(fù)的細(xì)節(jié)令你撓頭不已——包括成本、容量、耐久性以及集成問(wèn)題，它仿佛更像一個(gè)科學(xué)工程而不是將徹底改變企業(yè)存儲(chǔ)的利器。
與技術(shù)觀(guān)察者相伴的是一直以來(lái)存儲(chǔ)系統(tǒng)革新的緩慢速度。在大多數(shù)的IT部門(mén)，存儲(chǔ)是IT系統(tǒng)的基石，微小的改變都可能成就不朽的事業(yè)。在IT領(lǐng)域，技術(shù)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)往往是當(dāng)工程、科學(xué)以及研發(fā)結(jié)果轉(zhuǎn)化為實(shí)用技術(shù)并且是那種徹底改變某種規(guī)則的技術(shù)的時(shí)候。但狹小的存儲(chǔ)終歸是笨拙的，這些變化展開(kāi)緩慢，很難確定什么技術(shù)可以作為里程碑。
在最近十年，對(duì)存儲(chǔ)沖擊最大的當(dāng)屬閃存，它打破了存儲(chǔ)的常規(guī)發(fā)展，擊中了每個(gè)存儲(chǔ)經(jīng)理人的神經(jīng)。我們可以看到一些趨勢(shì)表明固態(tài)存儲(chǔ)正處在轉(zhuǎn)折點(diǎn)。
有三大變化可以支持我的觀(guān)點(diǎn)，包括我們所關(guān)注的固態(tài)存儲(chǔ)的技術(shù)、部署和實(shí)施。
關(guān)注點(diǎn)從芯片到系統(tǒng)
不久以前，很多關(guān)于固態(tài)存儲(chǔ)的討論都圍繞著芯片級(jí)及相關(guān)的技術(shù)。早期的閃存采購(gòu)者往往考慮是選擇SLC還是MLC，尋求速度和耐久度與價(jià)格和容量之間的平衡。固態(tài)存儲(chǔ)廠(chǎng)商也會(huì)采用特制的ASIC芯片以及固件來(lái)延長(zhǎng)固態(tài)存儲(chǔ)的壽命。
不過(guò)最近，這些探討似乎銷(xiāo)聲匿跡了，仿佛是很久之前的事情。這是因?yàn)殚W存廠(chǎng)商已經(jīng)從芯片過(guò)渡到對(duì)支持技術(shù)的探討。SLC和MLC的討論已經(jīng)被擱置一旁，廠(chǎng)商對(duì)用戶(hù)承諾更多的是對(duì)其閃存產(chǎn)品提供一個(gè)長(zhǎng)期的質(zhì)保。存儲(chǔ)采購(gòu)者也將關(guān)注點(diǎn)轉(zhuǎn)向系統(tǒng)級(jí)別——固態(tài)技術(shù)是如何與應(yīng)用相結(jié)合的，關(guān)于ROI和TCO的探討包括傳統(tǒng)所要考慮的數(shù)據(jù)中心足跡和能量消耗等。
閃存選擇越來(lái)越多，與RAM鴻溝越來(lái)越小
另外一項(xiàng)拐點(diǎn)的指標(biāo)指的是固態(tài)存儲(chǔ)選項(xiàng)的多樣性和范圍。最初閃存進(jìn)入企業(yè)級(jí)市場(chǎng)是模擬SAS和SATA這種機(jī)械磁盤(pán)。Fusion-IO引領(lǐng)了將PCIe閃存用于提高單個(gè)服務(wù)器性能的“潮流”。這引起了一場(chǎng)關(guān)于閃存的討論，是硬盤(pán)的形式還是PCIe的形式，是共享存儲(chǔ)還是專(zhuān)有存儲(chǔ)。
隨之而來(lái)的是各種類(lèi)型的固態(tài)存儲(chǔ)部署的增加，如SAS、SATA、DAS、PCIe、NVM Express、混合陣列、全閃存、基于DIMM的持續(xù)性存儲(chǔ)以及當(dāng)前的NVDIMM。固態(tài)存儲(chǔ)解決方案的軟件部分也非常之活躍，先進(jìn)的自動(dòng)分層、緩存、去重壓縮、閃存池應(yīng)用等為價(jià)格不菲的硬件增加了不錯(cuò)的功能。閃存相關(guān)的其他令人興奮的進(jìn)步還包括前文提到的NVDIMM，它能夠?qū)崿F(xiàn)近乎于內(nèi)存的持續(xù)性存儲(chǔ)，未來(lái)內(nèi)存和存儲(chǔ)的界限將更加模糊化。
應(yīng)用為王
說(shuō)起固態(tài)存儲(chǔ)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)，最重要的就是關(guān)注點(diǎn)從固態(tài)存儲(chǔ)的軟硬件問(wèn)題轉(zhuǎn)移到了固態(tài)存儲(chǔ)的實(shí)際應(yīng)用。廠(chǎng)商和用戶(hù)更加傾向于某一特定的應(yīng)用的提速選擇合適的固態(tài)存儲(chǔ)產(chǎn)品。很顯然閃存真的對(duì)市場(chǎng)產(chǎn)生了沖擊，但對(duì)性能的思考更加復(fù)雜，這也折射了今天選擇的復(fù)雜性。另外，在我們正在進(jìn)行的調(diào)查中發(fā)現(xiàn)超過(guò)三分之一的受訪(fǎng)用戶(hù)已經(jīng)在企業(yè)數(shù)據(jù)中心中部署了閃存。最初的部署必然是少量的，但有了樣板之后，固態(tài)存儲(chǔ)的部署之路必然被拓寬。幾年以前，固態(tài)存儲(chǔ)僅僅被用在一兩個(gè)關(guān)鍵應(yīng)用上，但如今，固態(tài)存儲(chǔ)的采購(gòu)趨于平?；?，閃存也被用于更廣泛的應(yīng)用上。
下一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)
企業(yè)級(jí)固態(tài)存儲(chǔ)在短時(shí)間內(nèi)已經(jīng)走了很長(zhǎng)一段路，但大多數(shù)產(chǎn)業(yè)觀(guān)察者仍然期待閃存相關(guān)的新的轉(zhuǎn)折點(diǎn)會(huì)到來(lái)。也許有一天3D架構(gòu)能夠讓閃存的架構(gòu)低于硬盤(pán)實(shí)現(xiàn)這個(gè)轉(zhuǎn)折?；蛘呤切碌拈W存技術(shù)，如MRAM或者憶阻器有了實(shí)際應(yīng)用，能夠代替NAND閃存，進(jìn)入閃存革新的一個(gè)新時(shí)期。我不知道那個(gè)會(huì)先到，但我打賭兩個(gè)都會(huì)發(fā)生，而且比我們想象的還要快。
轉(zhuǎn)型的最終目的 -提質(zhì)降本增效
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