國外最新消息稱，美光宣布推出新的高容量16納米 TLC NAND芯片，不過我們?cè)诳吹?D NAND有望在明年上市的話，這16納米 TLC NAND有可能就是一種過渡。
美光官方稱，TLC是已經(jīng)在生產(chǎn)和使用經(jīng)過驗(yàn)證的，可靠的設(shè)計(jì)。但是針對(duì)16納米技術(shù)而言，可能消費(fèi)電子類領(lǐng)域使用該顆粒還將就，或者問題也可能會(huì)很多。
據(jù)存儲(chǔ)業(yè)內(nèi)專業(yè)人士指出，閃存顆粒如果采取16納米的制程，在很大程度上會(huì)受到電子和物理特性的必然影響，對(duì)于這點(diǎn)，阿明之前在寫《閃存物理特性的優(yōu)劣表現(xiàn)在哪些方面》的觀點(diǎn)中，就詳細(xì)介紹過，現(xiàn)在摘錄過來，以饗明粉。
從閃存物理性來看，閃存談?wù)撟疃嗟木褪荢LC,MLC，它們分別是Single-Level Cell 單層單元和Multi-Level Cell多層單元的縮寫，Cell就是一個(gè)物理單元，有固定隔離柵和浮動(dòng)隔離柵，進(jìn)行計(jì)數(shù)時(shí)候，是電子打到浮動(dòng)隔離柵產(chǎn)生電位，電位變化形成數(shù)據(jù)00、01、11、10等，當(dāng)進(jìn)行操作，就是要電子進(jìn)行擊穿，在進(jìn)行改變的時(shí)候，將電子通過引槽流出Cell，并產(chǎn)生變化。
閃存為什么有擦寫次數(shù)限制呢?當(dāng)進(jìn)行數(shù)據(jù)擦寫，電子流出時(shí)候，物理隔離柵就會(huì)變薄，變薄到一定程度就沒有絕緣的機(jī)制了，電子進(jìn)入就會(huì)漏掉，那么就會(huì)壞掉，就出現(xiàn)閃存擦寫次數(shù)的問題。
當(dāng)前NAND Flash面臨的挑戰(zhàn)主要是耐久性、數(shù)據(jù)保持性、讀寫干擾、制造工藝缺陷，耐久性受制于閃存顆粒的擦寫次數(shù)，同時(shí)數(shù)據(jù)保持性是指閃存將數(shù)據(jù)存在一個(gè)Cell中，仍然存在電子泄漏和電子輻射造成數(shù)據(jù)丟失情況。讀寫干擾是指對(duì)一個(gè)Cell進(jìn)行讀寫操作時(shí)對(duì)臨近的Cell也會(huì)產(chǎn)生干擾。制造工藝也存在不同的品質(zhì)。另外，SLC比MLC品質(zhì)要好，Cell都一樣，但前者只有兩個(gè)狀態(tài)位，后者有4個(gè)狀態(tài)位，那么后者讀寫數(shù)據(jù)的擦寫次數(shù)要增加，壽命自然會(huì)縮短。
當(dāng)前SSD主要使用NAND Flash，屬于非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)，成本比較低。物理特性不容易改變，那么如何優(yōu)化顯得很重要。
有一個(gè)情況需要指出，對(duì)于半導(dǎo)體廠商而言，在不斷降低制程，密度越來越高，工藝控制難度增加，造成NAND Flash可靠性隨制造工藝減小而降低，如擦寫次數(shù)降低，大容量閃存里面就更容易出現(xiàn)錯(cuò)誤。這也就是當(dāng)前閃存廠商開始更專注 3D NAND 制程工藝的原因。
這里阿明想說一句的是：美光本來就和英特爾在研發(fā)新的3D NAND技術(shù)，為什么不多多嘗試3D NAND呢?
對(duì)比SLC、MLC顆粒來看，TLC 速度慢壽命短，但價(jià)格便宜。美光非得拿16納米TLC NAND去打消費(fèi)電子市場，帶來的結(jié)果還是非常危險(xiǎn)的。但更可怕的，美光似乎提到了16納米TLC NAND對(duì)企業(yè)用戶市場的輻射，這點(diǎn)阿明強(qiáng)烈懷疑美光的智商。要是你們覺得阿明在撒謊，那么我只好貼出外文的這部分消息：“The new TLC joins a fairly large list of flash products Micron offers from consumer to enterprise that spans various applications.”
因此，16納米到底是不是一個(gè)坑，要不了一年左右，我們就可以知道。
或許美光有其他策略來規(guī)避16納米的缺陷，直接加快16納米TLC NAND的更新?lián)Q代，等用戶還沒有遇到產(chǎn)品問題的前提下，就已經(jīng)更新了新產(chǎn)品的替代與升級(jí)，將問題扼殺在搖籃里面，也不是沒有可能。
轉(zhuǎn)型的最終目的 -提質(zhì)降本增效
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