固態(tài)硬盤(pán)深入人心，閃存產(chǎn)品跨越了從消費(fèi)級(jí)到企業(yè)級(jí)，促成了全面的存儲(chǔ)技術(shù)改革升級(jí)，在這塊兵家之地上，已經(jīng)不在是原先傳統(tǒng)硬盤(pán)的四國(guó)鼎立，或者說(shuō)希捷與西數(shù)的兩強(qiáng)對(duì)峙。面對(duì)這一片完全不可預(yù)期的市場(chǎng)，每一個(gè)身處其中的王牌廠商都要讓自己每一步走的沉穩(wěn)。
根據(jù)外媒的一些消息得知，閃存行業(yè)內(nèi)正在策劃一套新的融資方案，這套方案就是針對(duì)近兩年火熱的3D NAND芯片的開(kāi)發(fā)以及代工體系的資金籌備項(xiàng)目。而近日的一個(gè)話題就是集中在國(guó)外的分析師對(duì)當(dāng)前的3D NAND的成本論的探討，這一話題涉及到了諸多廠商以及各自旗下技術(shù)的成本代價(jià)，對(duì)這一直白的話題而言，誰(shuí)會(huì)更有優(yōu)勢(shì)呢?
國(guó)外分析機(jī)構(gòu)一直在對(duì)NAND閃存芯片的代工制造體系成本進(jìn)行核算，并將統(tǒng)計(jì)結(jié)果與傳統(tǒng)技術(shù)的生產(chǎn)線進(jìn)行比對(duì)。為何要重新策劃一套融資方案?因?yàn)楫?dāng)面臨3D NAND轉(zhuǎn)型時(shí)所面臨的成本跨越是對(duì)從帶代工線到技術(shù)端的一次新的考驗(yàn)。
3D NAND芯片的優(yōu)勢(shì)就是在于存儲(chǔ)密度的提升，要更高遠(yuǎn)傳統(tǒng)的NAND芯片，但其制造難度也更高。舉例來(lái)講，最傳統(tǒng)的平面NAND生產(chǎn)線要求利用三沉積層進(jìn) 行NAND電荷引導(dǎo)，而3D NAND芯片閃存的生產(chǎn)則需要四沉積層方能實(shí)現(xiàn)，這不單是對(duì)技術(shù)的考驗(yàn)更是對(duì)成本進(jìn)行了苛刻的要求。
國(guó)外分析機(jī)構(gòu)稱(chēng)：“這意味著，現(xiàn)在已經(jīng)掌握了3D NAND技術(shù)的廠商要重新思考未來(lái)技術(shù)的成本問(wèn)題，例如閃迪(其實(shí)就是東芝)的48層128Gb芯片，每晶粒MLC 3D NAND需要144個(gè)沉積層，而英特爾/美光的256Gb每晶粒MLC 3D NAND需要128個(gè)沉積層，三星的128Gb每晶粒MLC 3D NAND則需要96個(gè)沉積層。”
廠商加大投入 3D NAND五年內(nèi)成主力
我在 3月份的時(shí)候參觀了三星位于中國(guó)西安的SSD生產(chǎn)基地，作為最先使用3D NAND芯片的三星來(lái)講，整個(gè)制造流程可謂極度復(fù)雜。所以這種更為復(fù)雜的生產(chǎn)流程對(duì)良品率造成的影響將成為產(chǎn)品供應(yīng)商眼中的關(guān)注重點(diǎn)，我在參觀三星工廠 時(shí)，在廠區(qū)內(nèi)工作人員進(jìn)行了極其嚴(yán)密的參觀保護(hù)，所以我本沒(méi)有參觀到真正的流水線，而是在他們單獨(dú)羅列的閃存博物館內(nèi)進(jìn)行了瀏覽。所以沒(méi)有人會(huì)告訴你，即 便是代工運(yùn)營(yíng)商也不會(huì)公開(kāi)討論具體良品率。PS：良品率可以說(shuō)是當(dāng)前3D NAND成本非常關(guān)鍵的一個(gè)環(huán)節(jié)。
去年，全球閃存存儲(chǔ)容量總產(chǎn)量約為61EB，其中僅僅只有3%為3D NAND，但3D NAND的占有率在未來(lái)一定會(huì)不斷提升。國(guó)外Gartner公司目前預(yù)計(jì)，3D NAND在全球總體NAND閃存生產(chǎn)容量中的占比在2015年年內(nèi)將提升至約4%，之后將以每年至少1%的速度擴(kuò)大占有率。再次回到我們上面的內(nèi)容中，在 擴(kuò)大的市場(chǎng)中，誰(shuí)能控制住成本，誰(shuí)將拿到更多未來(lái)閃存存儲(chǔ)的絕對(duì)市場(chǎng)。
閃迪在今年的一次發(fā)布會(huì)中稱(chēng)，到2018年3D NAND芯片將占用業(yè)界晶圓生產(chǎn)問(wèn)題的50%甚至更高。閃迪認(rèn)為“3D NAND總體生產(chǎn)容量將于2017年超過(guò)傳統(tǒng)閃存容量，這一切都要?dú)w功于單一晶圓能夠在3D NAND上帶來(lái)更為可觀的存儲(chǔ)容量(Gb)。而3D晶圓生產(chǎn)規(guī)模到2018年將首次超越傳統(tǒng)的晶元安裝基數(shù)。
三星、閃迪(東芝)以及美光、英特爾三方已經(jīng)宣稱(chēng)將在3D NAND制造領(lǐng)域投入總計(jì)180億美元以上的巨額資金，三星公司在中國(guó)西安興建的3D NAND制造設(shè)施總計(jì)涉及超過(guò)70億美元整體資本投入。
傳統(tǒng)硬盤(pán)成本仍有優(yōu)勢(shì)
我在去年10月份也參觀了美光公司于新加坡的制造工廠。美光今年2月又花費(fèi)40億美元用于擴(kuò)大這家工廠的制造產(chǎn)量。相比之下，希捷與西部數(shù)據(jù)作為傳統(tǒng)硬 盤(pán)的代表，在過(guò)去三年中的總體資本支出約為43億美元。國(guó)外研究機(jī)構(gòu)利用電子表格建模生成了以下圖表，具體內(nèi)容為至2018年NAND與希捷/西部數(shù)據(jù)磁 盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的資本支出對(duì)比結(jié)果：二者的差異可謂非常明顯，特別是在閃存與磁盤(pán)的每TB資本支出數(shù)字對(duì)比方面。從不同年份出發(fā)，閃存的每TB制造成本與磁盤(pán)驅(qū) 動(dòng)器相比一直在53倍到162倍之間浮動(dòng)。
龐大的支出與產(chǎn)品產(chǎn)量風(fēng)險(xiǎn)意味著，投資分析師對(duì)于新的融資計(jì)劃無(wú)法做出準(zhǔn)確評(píng)估，很難預(yù)測(cè)閃存制造運(yùn)營(yíng)商未來(lái)的預(yù)期經(jīng)營(yíng)收益。生產(chǎn)方面的可怕難度與潛在失 誤風(fēng)險(xiǎn)很可能給相關(guān)企業(yè)帶來(lái)嚴(yán)重的業(yè)務(wù)績(jī)效影響，同時(shí)也會(huì)造成不少供應(yīng)難題。通往3D閃存彼岸的涅槃之路可謂迷霧重重，而且就目前而言我們還遠(yuǎn)看不到明確 的終點(diǎn)。
總結(jié)
好了，我最后來(lái)盤(pán)點(diǎn)一下目前在戰(zhàn)場(chǎng)上的這些品牌之間的地位
三星：最早拿出3D V-NAND的三星，在這一領(lǐng)域的領(lǐng)先地位是肯定的，雖然在市場(chǎng)中的反映好壞參半，尤其去年845的XX門(mén)(懂的自然懂)，讓三星在我們上面提到的品控上任然存在問(wèn)題，保住地位，就看今年的新品了。
閃迪/東芝：
兩 強(qiáng)在各自提供著自己擁有的技術(shù)底盤(pán)，尤其閃迪在近1年時(shí)間里活躍在全閃存技術(shù)上，為其在企業(yè)級(jí)的地位大大加劇籌碼，回歸到消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品上，閃迪依然有著足夠 的用戶口碑，有東芝提供flash，在3D NAND的產(chǎn)品研發(fā)上，速度并不會(huì)慢。同時(shí)東芝已經(jīng)計(jì)劃在2015年下半投入48層堆疊V NAND生產(chǎn)。
intel/美光：
對(duì)于intel，我只說(shuō)一些個(gè)人觀點(diǎn)，其在閃存產(chǎn)品上的活躍度一直不高不低，曾經(jīng)在很長(zhǎng)時(shí)間里讓人摸不到節(jié)奏。直到今年，美光和intel決定攜手共同研發(fā)3D NAND，這一舉動(dòng)對(duì)于市場(chǎng)的影響不容低估，但兩者能夠促成火花，拭目以待。
SK海力士：
SK Hynix應(yīng)該是在市場(chǎng)中優(yōu)勢(shì)較小的制造商，雖然聲明2015年第3季開(kāi)始生產(chǎn)36層堆疊MLC V-NAND，但目前其下游客戶群體并不優(yōu)秀(山寨?是吧?)2014年底SK海力士已經(jīng)完成研發(fā)24層結(jié)構(gòu)V-NAND技術(shù)，在2015年底將推出48 層TLC V-NAND，正式加入V-NAND競(jìng)局。
轉(zhuǎn)型的最終目的 -提質(zhì)降本增效
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