無論是在商業(yè)領域還是IT領域，利用強強聯(lián)合，來實現(xiàn)1+1大于2理想效果是很多廠商采用的方式，但真正實現(xiàn)起來并不如想像中那么輕而易舉。近日， 英特爾公司和鎂光科技股份有限公司宣布在閃存方面合作，這兩個巨頭的合作將很可能帶來閃存領域的新一輪革命，推動閃存產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。
眾所周知，閃存是目前在最輕便的筆記本電腦、最快速的數(shù)據(jù)中心以及幾乎所有手機、平板電腦和移動設備中經(jīng)常被使用到的存儲技術(shù)，但由于發(fā)展時間較短，且不同廠商產(chǎn)品技術(shù)不盡相同，所以造成閃存市場的產(chǎn)品參差不齊，使得閃存的整個市場非?；靵y。
英特爾與鎂光聯(lián)合開發(fā)全新3DNAND
日 前，英特爾與鎂光聯(lián)合開發(fā)全新3DNAND技術(shù)，采用垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度。利用該技術(shù)，可打造出存儲容量比同類NAND技術(shù)高 達全面滿足眾多消費類移動設備和要求最嚴苛的企業(yè)部署的需求。三倍的存儲設備，讓更小的空間內(nèi)可以容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節(jié)約與能耗降低。
當前以平面結(jié)構(gòu)的NAND閃存已接近其實際擴展的極限，給半導體存儲器行業(yè)帶來嚴峻挑戰(zhàn)。摩爾定律描繪了持續(xù)性能提升與成本降低的發(fā)展軌跡。而通過保持 摩爾定律與閃存存儲解決方案的一致性，3DNAND技術(shù)將有望對閃存存儲解決方案產(chǎn)生重大影響，從而讓閃存存儲的存儲容量、價格等更加趨于合理，在不用 領域得到更廣泛的應用。
鎂光科技的內(nèi)存技術(shù)與解決方案部門副總裁BrianShirley表示："通過鎂光與英特爾的通力協(xié)作，雙方 共同打造出了業(yè)界領先的固態(tài)存儲技術(shù)，通過該技術(shù)能夠提供當今其他閃存技術(shù)難以匹敵的更高密度、性能和效率，這一3DNAND技術(shù)擁有徹底改變整個閃存 市場格局的巨大潛力"
3DNAND
閃存擁有的眾多的市場，從智能手機到 針對閃存優(yōu)化的超級計算機，我們所看到的閃存所產(chǎn)生的影響還僅僅是冰山一角英特爾公司高級副總裁兼非易失性存儲解決方案事業(yè)部總經(jīng) 理RobCrooke表示："最新的3DNAND技術(shù)再次彰顯了我們的這一堅定承諾，該項技術(shù)創(chuàng)新可顯著改善密度與成本問題，并將顯著加快固態(tài)存 儲在計算平臺中的應用。"
創(chuàng)新工藝架構(gòu)帶來全新性能提升
下面我們來看一下這項技術(shù)全新的3DNAND技術(shù)帶來了哪些 優(yōu)勢變化，3DNAND技術(shù)最重要的特點之一是其基礎存儲單元。它基于多年來大批量制造的平面結(jié)構(gòu)閃存設計改進而成，并首次在3DNAND技術(shù)中使 用，而浮柵單元是提升性能、質(zhì)量和可靠性的一個關(guān)鍵設計選擇。
全新的3DNAND技術(shù)可垂直堆疊32層閃存單元，能夠在標準封裝內(nèi)實 現(xiàn)256Gb多層單元(MLC)和384Gb三層單元(TLC)芯片。這些容量可使口香糖大小的固態(tài)盤提供超過3.5TB的存儲容量，同時使標準 2.5英寸固態(tài)盤能夠提供超過10TB的存儲容量。由于存儲容量可通過垂直堆疊單元來實現(xiàn)，單個存儲單元的尺寸可以變得非常大。這將有望提高產(chǎn)品的性 能和耐用性，甚至可以使TLC設計出色地滿足數(shù)據(jù)中心存儲的需求。
3DNAND設計
3DNAND設計的主要產(chǎn)品特性包括：
更大大容量-存儲容量可達到現(xiàn)有3D技術(shù)的三倍，每塊芯片的存儲容量最高可達48GB。該3D技術(shù)可支持在單個指尖大小的封裝內(nèi)提供0.75TB的存儲容量，大大提升了閃存的存儲空間，解決了閃存存儲空間小的問題。
每GB閃存成本更低-第一代3DNAND具有比平面結(jié)構(gòu)的NAND更高的成本效益，性價比更高。
高性能-更高的讀/寫帶寬、I/O速度和隨機讀性能。
綠色環(huán)保-全新睡眠模式支持低功耗使用，允許切斷不活躍NAND的芯片的電源(即使同一封裝內(nèi)其他芯片處于活躍狀態(tài)也不受影響)，從而顯著降低待機模式下的功耗。
更加智能-相比于前幾代產(chǎn)品，一系列創(chuàng)新特性顯著改進了延遲問題和提高了耐用性，同時進一步簡化了系統(tǒng)集成工作。
總結(jié)，目前，256GbMLC版本的3DNAND芯片當前已向部分合作伙伴提供樣品，384GbTLC版本的3DNAND芯片將于今年春末開始 提供樣品。這兩款設備將在今年第四季度全面投產(chǎn)。兩家公司還在開發(fā)基于3DNAND技術(shù)的獨立固態(tài)盤解決方案系列，并預計于明年推出相關(guān)產(chǎn)品。關(guān)心閃存 領域的用戶可以關(guān)注下了，畢竟為閃存市場帶來新一輪的風暴。
轉(zhuǎn)型的最終目的 -提質(zhì)降本增效
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