近日，香港科技園公司與麻省光子技術(shù)(香港)有限公司30日簽署合作協(xié)議，將于香港科學(xué)園內(nèi)設(shè)立全香港首個(gè)第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延工藝全球研發(fā)中心，并于創(chuàng)新園開(kāi)設(shè)首條超高真空量產(chǎn)型氮化鎵外延片中試線。
氮化鎵(GaN)是一種堅(jiān)硬且非常穩(wěn)定的第三代半導(dǎo)體材料，可在高溫和高電壓下進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)作。此次在港設(shè)立的研發(fā)中心，將聚焦開(kāi)發(fā)8寸氮化鎵外延片工藝及設(shè)備平臺(tái)，用于制作氮化鎵光電子和功率器件。相關(guān)中試線將耗資2億港元，設(shè)立投產(chǎn)后，會(huì)進(jìn)行氮化鎵外延片的小批量生產(chǎn)。
香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技及工業(yè)局局長(zhǎng)孫東在當(dāng)天活動(dòng)上致辭指出，香港要因地制宜發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力，須發(fā)揮好香港的國(guó)際化優(yōu)勢(shì)和雄厚的科研實(shí)力，支持優(yōu)勢(shì)科技產(chǎn)業(yè)在港發(fā)展，而第三代半導(dǎo)體就是香港近年來(lái)重點(diǎn)發(fā)展的科技領(lǐng)域。氮化鎵外延工藝是發(fā)展第三代半導(dǎo)體的關(guān)鍵技術(shù)，能夠優(yōu)化產(chǎn)品性能，提升穩(wěn)定性，為行業(yè)帶來(lái)革命性突破。
孫東提到，特區(qū)政府正以產(chǎn)業(yè)導(dǎo)向?yàn)樵瓌t，積極推進(jìn)微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展。香港微電子研發(fā)院將于年內(nèi)成立，并設(shè)立碳化硅和氮化鎵兩條中試線，協(xié)助初創(chuàng)、中小企業(yè)進(jìn)行試產(chǎn)、測(cè)試和認(rèn)證，促進(jìn)產(chǎn)、學(xué)、研在第三代半導(dǎo)體核心技術(shù)上的合作。
香港科技園公司行政總裁黃克強(qiáng)也表示，此次合作將成為香港微電子產(chǎn)業(yè)及新型工業(yè)化發(fā)展的重要里程碑，帶動(dòng)整個(gè)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局，香港微電子創(chuàng)科生態(tài)會(huì)更為蓬勃。
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