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7月17日消息，《韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》(Hankyung)表示，SK海力士將采用臺(tái)積電N5工藝版基礎(chǔ)裸片(BaseDie)構(gòu)建HBM4內(nèi)存。

新一代HBM內(nèi)存HBM4的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)即將定案。而根據(jù)此前報(bào)道，SK海力士的首批HBM4產(chǎn)品(12層堆疊版)有望于2025年下半年推出。

SK海力士和臺(tái)積電雙方于今年4月簽署了合作諒解備忘錄，宣布將就HBM內(nèi)存的基礎(chǔ)裸片加強(qiáng)合作。

而臺(tái)積電在2024年技術(shù)研討會(huì)歐洲場上表示，該企業(yè)準(zhǔn)備了兩款HBM4內(nèi)存基礎(chǔ)裸片，分別為面向價(jià)格敏感性產(chǎn)品的N12FFC+版和面向高性能應(yīng)用的N5版。

其中N5版基礎(chǔ)裸片面積僅有N12FFC+版的39%，同功率下邏輯電路頻率可達(dá)N12FFC+版的155%，同頻率功耗則僅有35%。

N5工藝版基礎(chǔ)裸片可實(shí)現(xiàn)6~9μm級(jí)別的互聯(lián)間距，在目前流行的2.5D式封裝集成外還能支持HBM4內(nèi)存同邏輯處理器的3D垂直集成。這一縱向結(jié)構(gòu)可提供更大的內(nèi)存帶寬，將深遠(yuǎn)改變HPC&AI芯片生態(tài)。

HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片轉(zhuǎn)由邏輯晶圓廠生產(chǎn)也是半導(dǎo)體制造兩大領(lǐng)域走向融合的最好證明。韓媒在報(bào)道中提到，SK海力士和三星電子均正為其HBM內(nèi)存團(tuán)隊(duì)補(bǔ)充邏輯設(shè)計(jì)人才。