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7月4日消息，韓媒 NewDaily 報(bào)道稱，三星電子通過了英偉達(dá)的 HBM3e(高帶寬內(nèi)存)質(zhì)量測試。三星即將開始大規(guī)模生產(chǎn) HBM 內(nèi)存芯片，并就供應(yīng)問題與英偉達(dá)展開談判。

三星電子最近收到了來自英偉達(dá)的 HBM3e 質(zhì)量測試 PRA(產(chǎn)品準(zhǔn)備批準(zhǔn))通知。這是三星應(yīng)英偉達(dá)要求，派遣負(fù)責(zé) HBM 內(nèi)存開發(fā)的高管前往美國一個(gè)多月后取得的成果。

此前報(bào)道，今年 3 月，英偉達(dá) CEO 黃仁勛表示已經(jīng)開始驗(yàn)證三星的 HBM 內(nèi)存芯片。5 月有消息稱三星 HBM 內(nèi)存芯片因發(fā)熱和功耗問題未通過英偉達(dá)測試。黃仁勛在 2024 臺(tái)北國際電腦展上，表示仍在認(rèn)證三星公司的 HBM 內(nèi)存，否認(rèn)三星 HBM 未通過任何英偉達(dá)測試。

外媒稱，三星迫切需要向英偉達(dá)供應(yīng) HBM，通過英偉達(dá)測試意味著從下半年開始，HBM 的業(yè)績可能實(shí)現(xiàn)“飛躍”。受此消息影響，三星電子股價(jià) 7 月 4 日上漲 3.6%，達(dá)到 4 月 12 日以來的最高點(diǎn);SK 海力士(英偉達(dá) HBM 內(nèi)存的主要供應(yīng)商之一)股價(jià)下跌 4.7%，創(chuàng) 6 月 24 日以來最大跌幅。