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中芯國際FinFET N+1工藝關(guān)鍵突破：國產(chǎn)版7nm制程 不需要EUV光刻機
來源：IT之家 作者：佚名
2020-10-13 09:40:50
芯動科技首個基于中芯國際先進工藝的芯片流片和測試成功，不僅意味著具有自主知識產(chǎn)權(quán)的‘國產(chǎn)芯’再次打破國外壟斷，同時也說明‘國產(chǎn)版’的7nm芯片制造技術(shù)已經(jīng)得到突破。
中國一站式 IP 和定制芯片企業(yè)芯動科技(INNOSILICON)昨天發(fā)布：已完成全球首個基于中芯國際 FinFET N+1 先進工藝的芯片流片和測試，所有 IP 全自主國產(chǎn)，功能一次測試通過。關(guān)于N+1工藝，中芯國際聯(lián)合CEO梁孟松今年初曾透露，該工藝在功率和穩(wěn)定性方面與7nm工藝非常相似，且不需要EUV光刻機，但在性能方面提升還不夠，所以N+1工藝是面向低功耗應(yīng)用領(lǐng)域的。其曾表示，中芯國際N+1工藝和14nm相比，性能提升20%，功耗降低57%，而7nm市場基準性能提升應(yīng)該是35%。
據(jù)悉，《珠海特區(qū)報》10月11日報道了《“國產(chǎn)芯”突圍刻不容緩》文章，其中寫道：“芯動科技首個基于中芯國際先進工藝的芯片流片和測試成功，不僅意味著具有自主知識產(chǎn)權(quán)的‘國產(chǎn)芯’再次打破國外壟斷，同時也說明‘國產(chǎn)版’的7nm芯片制造技術(shù)已經(jīng)得到突破。”
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編輯：張穎
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